| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DMG4932LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 | 3,085 | 1:$0.64000 10:$0.53600 25:$0.46920 100:$0.40170 250:$0.34840 500:$0.29510 1,000:$0.22750 |
| DMG4932LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 | 3,085 | 1:$0.64000 10:$0.53600 25:$0.46920 100:$0.40170 250:$0.34840 500:$0.29510 1,000:$0.22750 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 15 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.19W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 包装: | 剪切带 (CT) |