| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| EM6M2T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 | 8,000 | 8,000:$0.14500 16,000:$0.13500 24,000:$0.12750 56,000:$0.12500 200,000:$0.12000 |
| 类别: | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| FET 型: | N 和 P 沟道 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1 欧姆 @ 200mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 150mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装: | EMT6 |
| 包装: | 带卷 (TR) |