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IC/电子元器件

IGBT 模块 BSM35GB120DN2品牌、价格、PDF参数

BSM35GB120DN2 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
BSM35GB120DN2 Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 35A DUAL 可订货
BSM35GB120DN2 • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述: IGBT 模块 1200V 35A DUAL
RoHS: 否
PDF参数:
制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 3.2 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
栅极—射极漏泄电流 150 nA
功率耗散 280 W
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 Half Bridge1
封装
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