IGBT 模块 BSM100GB170DN2品牌、价格、PDF参数
BSM100GB170DN2 • 品牌、价格
| 元器件型号 | 厂商 | 描述 | 数量 | 价格(人民币) |
|---|---|---|---|---|
| BSM100GB170DN2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 1700V 100A DUAL | 可订货 | |
| FZ800R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模块 | 可订货 | |
| BSM200GA120DLC | Infineon Technologies | IGBT 模块 1200V 200A SINGLE | 可订货 | |
| FD200R65KF1-K | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 6.3KV 400A | 可订货 | |
| BSM200GB120DLC_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 200A | 可订货 | |
| FT150R12KE3G_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | 可订货 | |
| 2PS12012E33G30875 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | 可订货 |
BSM100GB170DN2 • PDF参数
| 类别: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模块 1700V 100A DUAL |
| RoHS: | 否 |
| PDF参数: | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Half Bridge Module |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 145 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 320 nA |
| 功率耗散 | 1 KW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Half Bridge2 |
| 封装 |
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