AOD4N60厂商、描述、价格、参数资料

型号
AOD4N60
数量
85
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
价格(1)
¥5.4940
价格(10)
¥4.8307
价格(25)
¥4.2800
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
AOD4N60相关电子产品资料
型号
数量
85
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
85
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
640pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
型号
数量
6947
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
aMOS™
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
263pF @ 100V
功率 - 最大值
56.8W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
5000
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
aMOS™
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
263pF @ 100V
功率 - 最大值
56.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
6947
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
系列
aMOS™
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
263pF @ 100V
功率 - 最大值
56.8W
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.1 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
522pF @ 100V
功率 - 最大值
83W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500