AOD502厂商、描述、价格、参数资料

型号
AOD502
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 15A TO252
系列
AlphaMOS
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Ta),46A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1187pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
AOD502相关电子产品资料
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 15A TO252
系列
AlphaMOS
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Ta),46A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1187pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 25V 18A
系列
AlphaMOS
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Ta),46A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1333pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
型号
数量
598
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 22A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2010pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 22A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2010pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
598
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 22A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2010pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
2359
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
45A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2719pF @ 15V
功率 - 最大值
7.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
45A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2719pF @ 15V
功率 - 最大值
7.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称
型号
数量
2359
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
45A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
2719pF @ 15V
功率 - 最大值
7.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 27A TO252
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
27A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
3430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
1
其它名称
型号
数量
27800
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述
MOSFET N-CH 30V 27A TO252
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
27A(Ta),70A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
3430pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
标准包装
2,500
其它名称