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IC/电子元器件

IRF840ASPBF厂商、描述、价格、参数资料

型号
IRF840ASPBF
数量
500
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
价格(1)
¥12.0600
价格(10)
¥10.8473
价格(25)
¥10.2349
价格(100)
¥8.7194
价格(250)
¥8.1874
价格(500)
¥7.1640
价格(1000)
¥5.9359
价格(2500)
¥5.5265
价格(5000)
¥5.3218
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
IRF840ASPBF相关电子产品资料
型号
IRF840ASPBF
数量
500
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
50
其它名称
型号
IRF840ASTRL
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF840ASTRLPBF
数量
801
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1
其它名称
型号
IRF840ASTRLPBF
数量
801
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1
其它名称
型号
IRF840ASTRLPBF
数量
800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
其它名称
型号
IRF840ASTRR
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF840ASTRRPBF
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1018pF @ 25V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
800
型号
IRF840B
数量
27800
厂商
Fairchild Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
800 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1800pF @ 25V
功率 - 最大值
134W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
标准包装
50
型号
IRF840BPBF
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.7A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
527pF @ 100V
功率 - 最大值
156W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
标准包装
1,000
型号
IRF840L
数量
27800
厂商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1300pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装
I2PAK
标准包装
50
其它名称
电子产品资料
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