IRF840STRLPBF
27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
¥10.7870
-
带卷(TR)
有效
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
8A(Tc)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63nC @ 10V
1300pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
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27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
-
带卷(TR)
有效
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
8A(Tc)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63nC @ 10V
1300pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
1
800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
1
800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
800
27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
-
带卷(TR)
过期
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
8A(Tc)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63nC @ 10V
1300pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
27800
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
-
带卷(TR)
有效
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
500V
8A(Tc)
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63nC @ 10V
1300pF @ 25V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
D2PAK
800
27800
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
-
管件
过期
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
8A,11A
15.5 毫欧 @ 8A,10V
2.35V @ 25µA
8.6nC @ 4.5V
766pF @ 15V
1.5W,2.4W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
95
27800
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
HEXFET®
剪切带(CT)
上次购买时间
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
8A,11A
15.5 毫欧 @ 8A,10V
2.35V @ 25µA
8.6nC @ 4.5V
766pF @ 15V
1.5W,2.4W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
1
27800
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
HEXFET®
Digi-Reel®
上次购买时间
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
8A,11A
15.5 毫欧 @ 8A,10V
2.35V @ 25µA
8.6nC @ 4.5V
766pF @ 15V
1.5W,2.4W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
1
27800
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
HEXFET®
带卷(TR)
上次购买时间
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
8A,11A
15.5 毫欧 @ 8A,10V
2.35V @ 25µA
8.6nC @ 4.5V
766pF @ 15V
1.5W,2.4W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
4,000