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IC/电子元器件

NDD60N360U1-1G厂商、描述、价格、参数资料

型号
NDD60N360U1-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
价格(525)
¥7.7901
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
790pF @ 50V
功率 - 最大值
114W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
NDD60N360U1-1G相关电子产品资料
型号
NDD60N360U1-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
790pF @ 50V
功率 - 最大值
114W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
型号
NDD60N360U1-35G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
790pF @ 50V
功率 - 最大值
114W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
型号
NDD60N360U1T4G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
790pF @ 50V
功率 - 最大值
114W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK-3
标准包装
2,500
型号
NDD60N550U1-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.2A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
540pF @ 50V
功率 - 最大值
94W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
IPAK（TO-251）
标准包装
75
型号
NDD60N550U1-35G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.2A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
540pF @ 50V
功率 - 最大值
94W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
IPAK（TO-251）
标准包装
75
型号
NDD60N550U1T4G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.2A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
540pF @ 50V
功率 - 最大值
94W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
标准包装
2,500
型号
NDD60N745U1-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
745 毫欧 @ 3.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 50V
功率 - 最大值
84W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
型号
NDD60N745U1-35G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
745 毫欧 @ 3.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 50V
功率 - 最大值
84W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
型号
NDD60N745U1T4G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.6A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
745 毫欧 @ 3.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
440pF @ 50V
功率 - 最大值
84W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
标准包装
2,500
型号
NDD60N900U1-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.7A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
360pF @ 50V
功率 - 最大值
74W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-Pak
标准包装
75
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