收藏本站
IC/电子元器件

NDDL01N60Z-1G厂商、描述、价格、参数资料

型号
NDDL01N60Z-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
价格(3000)
¥1.0613
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
800mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
4.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
92pF @ 25V
功率 - 最大值
26W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
IPAK（TO-251）
标准包装
75
NDDL01N60Z-1G相关电子产品资料
型号
NDDL01N60Z-1G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
系列
-
包装
管件
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
800mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
4.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
92pF @ 25V
功率 - 最大值
26W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
IPAK（TO-251）
标准包装
75
型号
NDDL01N60ZT4G
数量
27800
厂商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
*
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
800mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
4.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
92pF @ 25V
功率 - 最大值
26W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
标准包装
2,500
电子产品资料
推荐热门型号