- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录222 > DZQA5V6AXV5-7 (Diodes Inc)TVS DIODE 4CH BIDIR 5.6V SOT-553 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DZQA5V6AXV5-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS DIODE 4CH BIDIR 5.6V SOT-553 |
| 其它图纸： | SOT-553 Top SOT-553 Side |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3V |
| 电压 - 击穿： | 5.3V |
| 功率（瓦特）： | 20W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-553 |
| 供应商设备封装： | SOT-553 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DZQA5V6AXV5DIDKR |
DZQA5V6AXV5
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Forward Voltage @ I F = 10mA
Symbol
V F
Value
0.9
Unit
V
Thermal Characteristics
Characteristic
Power Dissipation (Notes 5 & 6)
Peak Power Dissipation, 8x20 μ S Waveform (Note 7)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
P pk
R θ JA
T J, T STG
Value
380
20
327
-55 to +150
Unit
mW
W
°C/W
° C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Type
Number
DZQA5V6AXV5
Marking
Code
T56
Breakdown Voltage
(Note 8)
V BR @ I T = 1mA
Min (V) Nom (V) Max (V)
5.3 5.6 5.9
Leakage Current
(Note 8)
I RM @ V RM
Max( μ A)
(V)
1 3.0
Max. Clamping
Voltage
(Note 7)
V C @ I PP
V C (V) I PP (A)
13 1.6
Capacitance
@ 0V Bias (pF)
(Note 9)
C T
Typ Max
18.7 20
Capacitance
@ 3V Bias (pF)
(Note 9)
C T
Typ Max
11.4 12.3
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. Suggested Pad Layout Document AP02001,
which can be found on our website at http://www.diodes.com.
6. Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, P D will be 25% of the listed value.
7. Non-repetitive current pulse per Figure 2 and derate above T A = +25°C per Figure 1.
8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
9. Per element, f = 1MHZ, T A = +25 ° C
100
75
50
25
0
0
25
50 75 100 125 150 175
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Pulse Derating Curve
200
t, TIME ( μ s)
Fig. 2 Pulse Waveform
DZQA5V6AXV5
Document number: DS31557 Rev. 4 - 2
2 of 4
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DZQA6V8AXV5-7 | TVS DIODE 4CH BIDIR 6.8V SOT-553 |
| E112LD1V4BE | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V |
| E121MD1AV3GE | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 120V |
| E20-00A | SWITCH SNAP DPDT 20A QC TERM |
| E2018-BG | SW TOGGLE SPDT MOM 3A BL CAP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DZQA6V8AXV5 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:QUAD SURFACE MOUNT TVS ARRAY |
| DZQA6V8AXV5-7 | 功能描述:TVS二极管阵列 TVS ARRAY UNIDIRECT,20W,4.3V RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| DZS5 | 制造商:Datak Corporation 功能描述: |
| DZT2222A | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DZT2222A-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1W 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。