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ECHU1H472GX5

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  • ECHU1H472GX5
    ECHU1H472GX5

    ECHU1H472GX5

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

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  • 09/10+

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • ECHU1H472GX5
    ECHU1H472GX5

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • PANASONIC

  • 1206472

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  • ECHU1H472GX5
    ECHU1H472GX5

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  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

    联系人:

    电话:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 3112

  • PANASONIC

  • N/A

  • 18+

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  • 进口原装特价出售

  • ECHU1H472GX5
    ECHU1H472GX5

    ECHU1H472GX5

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 59880

  • PANASONIC/松下

  • 1206

  • 21+

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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • CAPACITOR 1206 4.7NF 50V
  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • CAPACITOR, 1206, 4.7NF, 50V
  • 制造商
  • Panasonic Industrial Company
  • 功能描述
  • Film capacitor, SMD,4.7nF 50V 2%
ECHU1H472GX5 技术参数
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A,2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):93 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH-U1H561JB5 ECH-U1H561JX5 ECH-U1H562GB5 ECH-U1H562GX5 ECH-U1H562JB5 ECH-U1H562JX5 ECH-U1H563GC9 ECH-U1H563GX9 ECH-U1H563JC9 ECH-U1H563JX9 ECH-U1H681GB5 ECH-U1H681GX5 ECH-U1H681JB5 ECH-U1H681JX5 ECH-U1H682GB5 ECH-U1H682GX5 ECH-U1H682JB5 ECH-U1H682JX5
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