EPC2106全国供应商【买卖IC网】EPC2106资料|PDF Datasheet|价格 EPC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2106
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
9985
EPCC
SMD
23+
-
原厂原装正品现货

EPC2106ENGRT
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2106ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

EPC2106ENGRT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10000
EPC
带卷（TR）
1521+
-
全新原装现货

EPC2106
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1178
EPC
BGA
20+
-
瑞智芯只做原装

EPC2106ENGRT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
23324
EPC
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

EPC2106
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
88
EPC
BGA
20
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 2A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 600μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
0.73nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
75pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2106 技术参数

EPC2105ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2105ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2105 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2104ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2104ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR