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参数资料
| 型号： | EC4301C |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | EC4301C |
EC4301C
No.7014-3/4
--0.01
1.0
--0.1
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
RDS(on) -- ID
VGS= --2.5V
--0.1
--1.0
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
23
5
7
RDS(on) -- ID
VGS= --1.5V
IT00081
IT00082
--25
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
Ta=75
°C
25
°C
--0.01
0.01
--0.1
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
3
2
7
5
3
2
yfs -- ID
VDS= --10V
--60
4
2
--40
6
--20
8
10
0
12
14
20
40
16
60
18
80
100
120
140
160
RDS(on) -- Ta
I D
= -
-30mA,
V GS
= -
-2.5V
I D
= --50mA,
V GS
= --4.0V
IT00083
IT00084
Ta= -
-25°C
25
°C
75°C
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--0.01
--0.1
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
IT00085
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--0.01
23
5
7
10
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
1000
100
SW Time -- ID
IT00086
VDD= --15V
VGS= --4V
tf
tr
td(off)
td(on)
Drain Current, ID -- A
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Ambient Temperature, Ta --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Drain Current, ID -- A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Drain Current, ID -- A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
orw
ard
Current,
I
F
-
A
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
1.6
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.2
0.4
--9
--10
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --100mA
0
1.0
--5
10
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
--15
100
--20
--30
--25
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
IT00087
IT00088
Ciss
Coss
Crss
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| EC4305C | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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