| 型号: | EC4403C |
| 文件页数: | 2/4页 |
| 文件大小: | 28K |
| 代理商: | EC4403C |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EC4A01C | |
| ECACT2310H | |
| ECACT231M | |
| ECC801S | HF - DOPPELTRIODE RF - TWIN TRIODE |
| ECC803S | NF DOPPELTRIODE MIT GETRENNTEN KATHODEN AF TWIN TRIODE WITH SEPARATE CATHODES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EC4404C-TL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| EC4405C | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| EC4405C-TL-H | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 30V 0.3A 0.9 ECSP1008-4 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 30V 0.3A ECSP1008-4 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| EC4406C | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| EC4406C-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |