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参数资料
| 型号： | ECH83 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | ECH83 |
| 中文描述： | ECH83 |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | ECH83 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECM001 | |
| ECM004 | |
| ECM028 | |
| ECM806 | |
| ECM807 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8301-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 20V 8A ECH8 |
| ECH8302 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| ECH8302-TL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ECH8304 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:ECH8304 |
| ECH8304-TL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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