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参数资料
| 型号： | ECH8661-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8661
200
RDS(on) -- VGS
[Pch]
100
RDS(on) -- Ta
[Pch]
180
160
ID= --1.5 A
Ta=25 ° C
90
80
--1.
I D=
0V,
--4.
I D=
5V,
S=
I =
= --1
140
120
100
80
60
40
--2.5A
70
60
50
40
30
VG
VG
VGS
--4.
5A
S= --1.
0 .0V, D
5A
--2.5
A
20
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID [Pch]
IT15727
VDS= --10V
2
--10
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15728
[Pch]
VGS=0V
a=
5 ° C
° C
3
2
1.0
7
T
--2
75
25
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
5
3
2
3
2
--0.01
7
5
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7
3
2
--0.001
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14859
[Pch]
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14860
[Pch]
7
5
td(off)
tf
1000
f=1MHz
3
2
10
tr
7
5
3
2
Ciss
7
5
td(on)
VDD= --15V
100
7
Coss
C rs s
3
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
VGS= --10V
7 --10
2
5
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
0 μ
1m
1 0 m
100
o p e
i n
r a t
Operation in this (Ta
5 ° C
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
VDS= --10V
ID= --5.5A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT14861
[Pch]
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP= --40A (PW≤10μs)
10
s
ID= --5.5A
s
DC ms
o
=2
area is limited by RDS(on). )
s
IT14862
[Pch]
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm) 1unit
--2
--1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5
7 --10
2
3
5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15733
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15729
No. A1777-5/9
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PDF描述 |
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