型号: | EDB101S |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere) |
中文描述: | 1 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | PLASTIC, DB-S, 4 PIN |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 213K |
代理商: | EDB101S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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EDB101SC | 功能描述:桥式整流器 1A 50V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
EDB101S-T | 功能描述:整流器 1A 50V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
EDB101S-T-T | 功能描述:桥式整流器 1A 50V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
EDB102 | 功能描述:整流器 NON-CATALOG 12/01 DIP-4 1.0A 100V RECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
EDB102C | 功能描述:桥式整流器 1A 100V 50ns GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |