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参数资料
| 型号： | EDB104S |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere) |
| 中文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DB-S, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | EDB104S |
Mounting Pad Layout
Dimensions in inches and (millimeters)
.410 Max.
(10.4 Max.)
.042 Min.
(1.10 Min.)
.060 Min.
(1.52 Min.)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDB105S | GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere) |
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| EDF1CS | 1 A, 150 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| EDH1-24-020-P-03 | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| EDH1-24-050-N-06 | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EDB104SC | 功能描述:桥式整流器 1A 200V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| EDB104S-T | 功能描述:整流器 SO-4 1A 200V RECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EDB104S-T-T | 功能描述:整流器 1A 200V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EDB105 | 功能描述:桥式整流器 1A 300V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| EDB105C | 功能描述:桥式整流器 1A 300V 50ns GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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