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参数资料
| 型号： | EDB106S |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere) |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DB-S, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | EDB106S |
LEAD TEMPERATURE, (OC)
IN
ST
AN
TA
NE
O
US
RE
VE
RS
E
CU
RR
EN
T,
(u
A)
25
0
1.0
2.0
75
50
175
100
125
150
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( EDB101S THRU EDB106S )
FIG.2 TYPICAL FORWARD CURRENT
DERATING CURVE
FIG.1 TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
AV
ER
AG
E
FO
RW
AR
D
CU
RR
EN
T,
(A
)
0
1.0
0.1
100
1000
10
60
20
40
80
100
120
140
FIG.3 TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
trr
+0.5A
50 W
NONINDUCTIVE
10 W
NONINDUCTIVE
0
-0.25A
-1.0A
1cm
SET TIME BASE FOR 20/1 ns/cm
NOTES: 1 Rise Time = 7ns max. Input Impedance =
1 megohm. 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Source Impedance =
50 ohms.
D.U.T
25 Vdc
(approx)
( - )
( + )
1
NON-
INDUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE 1)
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
Inductive Load
TA = 25 OC
TA = 100 OC
TA = 75 OC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDF1CS | 1 A, 150 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
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参数描述 |
|---|---|
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| EDB106S-T-T | 功能描述:桥式整流器 1A 400V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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| EDB107C | 功能描述:桥式整流器 1A 500V 50ns GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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