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参数资料
| 型号： | EDI88128C-100 |
| 英文描述： | 128Kx8 Monolithic SRAM(CMOS，128Kx8单片静态RAM（存取时间100ns）) |
| 中文描述： | 128Kx8单片的SRAM（的CMOS 128Kx8单片静态随机存储器（存取时间100ns的）） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | EDI88128C-100 |
3
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88128C
Input Pulse Levels
VSS to 3.0V
Input Rise and Fall Times
5ns
Input and Output Timing Levels
1.5V
Output Load
Figure 1
NOTE: For tEHQZ, tGHQZ and tWLQZ, CL = 5pF Figure 2)
30pF
480
Vcc
Q
Figure 1
Figure 2
255
5pF
480
Vcc
Q
255
AC TEST CONDITIONS
AC CHARACTERISTICS – READ CYCLE
(VCC = 5.0V, VSS = 0V, TA = 0
°C to +70°C)
Symbol
70ns
85ns
100ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Read Cycle Time
tAVAV
tRC
70
85
100
ns
Address Access Time
tAVQV
tAA
70
85
100
ns
Chip Select Access Time
tELQV
tACS
70
85
100
ns
tSHQV
tACS
70
85
100
ns
Chip Select to Output in Low Z (1)
tELQX
tCLZ
33
3
ns
tSHQX
tCLZ
33
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1)
tEHQZ
tCHZ
030
0
30
030
ns
tSLQZ
tCHZ
030
0
30
030
ns
Output Hold from Address Change
tAVQX
tOH
33
3
ns
Output Enable to Output Valid
tGLQV
tOE
25
30
50
ns
Output Enable to Output in Low Z (1)
tGLQX
tOLZ
00
0
ns
Output Disable to Output in High Z (1)
tGHQZ
tOHZ
030
0
30
030
ns
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EDI88128C100CB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
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| EDI88128C100NB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
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