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参数资料
| 型号： | EDI8F321024C |
| 英文描述： | 1024Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(1024Kx32高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 1024Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（1024Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | EDI8F321024C |
4
EDI8F321024C Rev. 7 3/98 ECO #9798
EDI8F321024C
1024Kx32 SRAM Module
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
Write Cycle 1 - W Controlled
Symbol
15ns
17ns
20ns
25ns
35ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
Units
Write Cycle Time
TAVAV
TWC
15
17
20
25
35
ns
Chip Enable to End of Write
TELWH
TCW
10
15
20
25
ns
TWLEH
TCW
10
15
20
25
ns
Address Setup Time
TAVWL
TAS
0
0000
ns
TAVEL
TAS
0
0000
ns
Address Valid to End of Write
TAVWH
TAW
10
15
20
25
ns
TAVEH
TAW
10
15
20
25
ns
Write Pulse Width
TWLWH
TWP
12
15
20
25
ns
TELEH
TWP
12
15
20
25
ns
Write Recovery Time
TWHAX
TWR
0
0000
ns
TEHAX
TWR
0
0000
ns
Data Hold Time
TWHDX
TDH
3
3300
ns
TEHDX
TDH
3
3300
ns
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ
TWHZ
0
708080
12
0
15
ns
Data to Write Time
TDVWH
TDW
7
10
12
15
20
ns
TDVEH
TDW
7
10
12
15
20
ns
Output Active from End of Write (1)
TWHQX
TWLZ
3
3333
ns
A
E
W
D
Q
TAVAV
TELWH
TAVWH
TWLWH
TAVWL
TDVWH
TWHDX
TWHQX
HIGH Z
TWLQZ
DATA VALID
TWHAX
AC Characteristics Write Cycle
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