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参数资料
| 型号： | EDI8F81027C |
| 英文描述： | 1Mx8 CMOS SRAM Monolithic(1Mx8 CMOS单片静态RAM) |
| 中文描述： | 1Mx8 CMOS SRAM的单片（1Mx8的CMOS单片静态内存） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | EDI8F81027C |
5
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI8F81027C
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (LP VERSION ONLY)
Characteristic
Sym
Test Conditions
VDD
Min
Typ
Max
Unit
70
°C85°C
Data Retention Voltage
VDD
2--
--
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
E
≥ VDD -0.2V
2V
--
100
130
A
VIN
≥ VDD -0.2V
3V
--
160
210
A
Chip Disable to Data Retention Time
tCDR(1)
or VIN
≤ 0.2V
0
--
ns
Operation Recovery Time
tR (1)
tAVAV*--
--
ns
NOTE:
1. Parameter guaranteed, but not tested
* Read Cycle Time
WS32K32-XHX
FIG. 5
DATA RETENTION - E CONTROLLED
DATA RETENTION, E CONTROLLED
Data Retention Mode
tR
Vcc
E
tCDR
E = VDD -0.2V
VDD
4.5V
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