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参数资料
| 型号： | EDI8G321024V |
| 英文描述： | 1024Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(1024Kx32 高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 1024Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（1024Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | EDI8G321024V |
3
EDI8G321024V Rev. 0 7/98 ECO #10592
EDI8G321024V
1024Kx32 SRAM Module
AC Characteristics Read Cycle
Read Cycle 2 - W High
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
Read Cycle 1 - W High, G, E Low
TAVAV
TAVQV
TAVQX
DATA 2
A
Q
ADDRESS 1
ADDRESS 2
DATA 1
TGHQZ
TELQV
TELQX
E
G
Q
TEHQZ
A
TAVAV
TGLQV
TGLQX
TAVQV
Symbol
12ns
15ns
17ns
20ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min Max
Min
Max
Units
Read Cycle Time
TAVAV
TRC
12
15
17
20
ns
Address Access Time
TAVQV
TAA
12
15
17
20
ns
Chip Enable Access
TELQV
TACS
12
15
17
20
ns
Chip Enable to Output in Low Z (1)
TELQX
TCLZ
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1)
TEHQZ
TCHZ
4
7
10
ns
Output Hold from Address Change
TAVQX
TOH
3
ns
Output Enable to Output Valid
TGLQV
TOE
6
7
8
ns
Output Enable to Output in Low Z (1) TGLQX
TOLZ
0
ns
Output Disable to Output in High Z(1) TGHQZ
TOHZ
4
7
8
ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| EDI8L32128C20AI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:EDI8L32128C20AI - Bulk |
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