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参数资料
| 型号： | EDI8G32130C |
| 英文描述： | 128Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(128Kx32 高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 128Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（128Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | EDI8G32130C |
4
EDI8G32130C Rev. 0 1/98 ECO #9700
EDI8G32130C
128Kx32 SRAM Module
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
*BICMOS
AC Characteristics Write Cycle
Write Cycle 1 - W Controlled
Symbol
10ns*
12ns*
15ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC Alt.
Min Max
Min Max Min Max
Min Max
Min Max Units
Write Cycle Time
TAVAV TWC
10
12
15
20
25
ns
Chip Enable to End of Write
TELWH TCW
7
8
10
15
20
ns
TWLEH TCW
7
8
10
15
20
ns
Address Setup Time
TAVWL TAS
0
ns
TAVEL TAS
0
ns
Address Valid to End of Write
TAVWH TAW
7
8
10
15
20
ns
TAVEH TAW
7
8
10
15
20
ns
Write Pulse Width
TWLWH TWP
7
8
10
15
20
ns
TELEH TWP
7
8
10
15
20
ns
Write Recovery Time
TWHAX TWR
0
ns
TEHAX TWR
0
ns
Data Hold Time
TWHDX TDH
3
ns
TEHDX TDH
3
ns
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ TWHZ
0
5
0
6
0
7
0
10
0
12
ns
Data to Write Time
TDVWH TDW
5
6
7
12
15
ns
TDVEH TDW
5
6
7
12
15
ns
Output Active from End of Write (1)
TWHQX TWLZ
2
3
ns
A
E
W
D
Q
TAVAV
TELWH
TAVWH
TWLWH
TAVWL
TDVWH
TWHDX
TWHQX
HIGH Z
TWLQZ
DATA VALID
TWHAX
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参数描述 |
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