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参数资料
| 型号： | EDI8L3265C |
| 英文描述： | 64Kx32 CMOS High Speed Static RAM(64Kx32高速CMOS静态RAM) |
| 中文描述： | 64Kx32的CMOS高速静态随机存储器（64Kx32高速的CMOS静态RAM）的 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | EDI8L3265C |
4
EDI8L3265C Rev. 4 3/97 ECO#8302
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
AC Characteristics Write Cycle
Symbol
12ns*
15ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min Max
Min Max Min Max
Min Max
Units
Write Cycle Time
TAVAV
TWC
12
15
20
25
ns
Chip Enable to End of Write
TELWH
TCW
8
9
15
20
ns
TELEH
TCW
8
9
15
20
ns
Byte Select to end of Write
TBLWH
TBW
8
9
15
20
ns
Address Setup Time
TAVWL
TAS
0
ns
TAVEL
TAS
0
ns
Address Valid to End of Write
TAVWH
TAW
9
10
15
ns
TAVEH
TAW
9
10
15
ns
Write Pulse Width
TWLWH
TWP
9
10
15
ns
TWLEH
TWP
9
10
15
ns
Write Recovery Time
TWHAX
TWR
0
ns
TEHAX
TWR
0
ns
Data Hold Time
TWHDX
TDH
0
ns
TEHDX
TDH
0
ns
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ
TWHZ
0
5
0607
0
10
ns
Data to Write Time
TDVWH
TDW
5
6
8
12
ns
TDVEH
TDW
5
6
8
12
ns
Output Active from End of Write (1)
TWHQX
TWLZ
2
ns
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
* Advanced Information
A
E
W
D
Q
TAVAV
TELWH
TAVWH
TWLWH
TAVWL
TDVWH
TWHDX
TWHQX
HIGH Z
TWLQZ
DATA VALID
TWHAX
Write Cycle 1 - W Controlled
BSx,
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