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参数资料
| 型号： | EDI9F416128C |
| 英文描述： | 4x128Kx16 Static RAM CMOS, Module(4x128Kx16 CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 4x128Kx16静态RAM的CMOS模块（4x128Kx16的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | EDI9F416128C |
EDI9F416128C
4x128Kx16 SRAM Module
1
EDI9F416128C Rev. 1.0 4/96 ECO #7470
Features
4x128Kx16 bit CMOS Static
Random Access Memory
Access Times 70 thru 100ns
Data Retention Function (EDI9F416128LP )
TTL Compatible Inputs and Outputs
Fully Static, No Clocks
High Density Packaging
80 Pin SIMM, No. 318
Single +5V (
±10%) Supply Operation
4x128Kx16 Static RAM
CMOS, Module
The EDI9F416128C is a 8192K bit CMOS Static RAM
based on eight 128Kx8 Static RAMs mounted on a multi-
layered epoxy laminate (FR-4) substrate.
A low power version with data retention (EDI9F416128LP)
is also available.
All inputs and outputs are TTL compatible and operate from
asingle+5Vsupply. Fullyasynchronous,theEDI9F416128C
requires no clocks or refreshing for operation.
VSS
VCC
NC
G\
WH
WL
NC
E
NC
E3
E2
E1
EO
VSS
NC
A16
A15
A14
A13
A12
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A6
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A2
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A
VSS
DQ15
DQ14
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DQ12
DQ11
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DQ7
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DQ5
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DQ3
DQ2
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DQ
NC
VCC
NC
VSS
NC
VSS
NC
VSS
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79
80
Pin Configurations and Block Diagram
A-A16
Address Inputs
E-E3
Chip Enable
G
Output Enables
WH-WL
Write Enables
E
Chip Select
DQ-DQ15
Data Input/Output
VCC
Supply 5 Volts
VSS
Ground
NC
No Connect
A
E
G
W
DQ
E
A
E
G
W
DQ
E
A
E
G
W
DQ
E
A
E
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A
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W
DQ
E
A
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G
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DQ
E
A
E
G
W
DQ
E
A
E
G
W
DQ
E
A-A16
E
G
WH
WL
E
E1
E2
E3
DQ-DQ7
DQ8-DQ15
Electronic Designs Incorporated
One Research Drive Westborough, MA 01581USA 508-366-5151 FAX 508-836-4850
Electronic Designs Europe Ltd. Shelley House, The Avenue Lightwater, Surrey GU18 5RF
United Kingdom 01276 472637 FAX: 01276 473748
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EDI9F416512C70BNC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 SRAM Module |
| EDI9F416512C70BNI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 SRAM Module |
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