参数资料
型号: EGF1A
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 50K
描述: DIODE FAST GPP 1A 50V SMA
产品目录绘图: SOD-123; SMB; SMA; SMC
标准包装: 7,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 50V
电容@ Vr, F: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: SMA
包装: 带卷 (TR)
EGF1A - EGF1D
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
EGF1A-EGF1D, Rev. D
EGF1A - EGF1D
Fast Rectifiers (Glass Passivated)
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
Low forward voltage drop.
?
Low profile package.
?
Fast switching for high efficiency.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND
DENOTES CATHODE
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1C 1D
VF
Forward Voltage @ 1.0 A 1.0 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A
50 ns
IR
Reverse Current @ rated VR TA = 25°C
10
μA
100
μA
TA = 100°C
CT
Total Capacitance
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
15 pF
Value
Symbol
Parameter
1A 1B 1C 1D
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 100 150 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current, @ T
L
= 100°C 1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30 A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 2.0 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 30
°C/W
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
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EGF1A/17- 功能描述:整流器 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
EGF1A/17A 功能描述:整流器 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
EGF1A/2KA 功能描述:整流器 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
EGF1A/5CA 功能描述:整流器 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
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