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参数资料
| 型号： | EGF1C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 50K |
| 描述： | DIODE FAST GPP 1A 150V SMA |
| 产品目录绘图： | SOD-123; SMB; SMA; SMC |
| 标准包装： | 7,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EGF1A - EGF1D
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
EGF1A-EGF1D, Rev. D
Typical Characteristics
Pulse
Generator
(Note 2)
50?50?
trr
+0.5A
NONINDUCTIVE
NONINDUCTIVE
DUT
(-)
?(+)
OSCILLOSCOPE
(Note 1)
50
NONINDUCTIVE
50V
(approx)
NOTES:
1. Rise time = 7.0 ns max; Input impedance = 1.0 megaohm 22 pf.
2. Rise time = 10 ns max; Source impedance = 50 ohms.
Reverse Recovery Time Characterstic and Test Circuit Diagram
012 51020 50100
10
20
30
40
Number of Cycles at 60Hz
Peak Forward Surge Current, I
FSM
[A]
1.0cm SET TIME BASE FOR
0
-0.25A
-1.0A
5/ 10 ns/ cm
0.1
0 20406080100120140
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]
Reverse Current, I
R
[mA]
T = 25 C
T = 25 C
J A
oo
T = 100 C
A
o
0.010.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
100
Forward Voltage, VF
[V]
Forward Current, I
F
[A]
T = 25 C
T = 25 C
J A
oo
Pulse Width = 300
μμμμS
2% Duty Cycle
00.1 0.5 1 2 5 10 20 50 100 500
10
20
30
40
50
60
Reverse Voltage, VR
[V]
Total Capacitance, C
T
[pF]
00 255075100125150175
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Lead
Temperature [oC]
Average Rectified Forward Current, I
F
[A]
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
P.C.B. MOUNTED
ON 0.2 x 0.2"
(5.0 x 5.0 mm)
COPPER PAD AREAS
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Forward Voltage Characteristics
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current
Figure 4. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 5. Total Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBM15DRMD | CONN EDGECARD 30POS .156 WW |
| RB-3.305S/EHP | CONV DC/DC 1W 3.3VIN 05VOUT |
| RCM06DRSS | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| T95Y106M025HSSL | CAP TANT 10UF 25V 20% 2910 |
| EBM18DSUN | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EGF1C/17- | 功能描述:整流器 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1C/2KA | 功能描述:整流器 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1C/5CA | 功能描述:整流器 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1C/67A | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150V 50ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1C/69A | 功能描述:整流器 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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