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参数资料
| 型号： | EGF1D |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 50K |
| 描述： | DIODE FAST GPP 1A 200V SMA |
| 产品目录绘图： | SOD-123; SMB; SMA; SMC |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | DO-214AC（SMA） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | EGF1DFSDKR |
EGF1A - EGF1D
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
EGF1A-EGF1D, Rev. D
EGF1A - EGF1D
Fast Rectifiers (Glass Passivated)
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
Low forward voltage drop.
?
Low profile package.
?
Fast switching for high efficiency.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND
DENOTES CATHODE
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1C 1D
VF
Forward Voltage @ 1.0 A 1.0 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A
50 ns
IR
Reverse Current @ rated VR TA = 25°C
10
μA
100
μA
TA = 100°C
CT
Total Capacitance
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
15 pF
Value
Symbol
Parameter
1A 1B 1C 1D
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 100 150 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current, @ T
L
= 100°C 1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30 A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 2.0 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 30
°C/W
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EGF1THE3/67A | DIODE 1A 1300V 75NS DO-214BA |
| EGP10C | DIODE FAST GPP 1A 150V DO-41 |
| EGP20KTA | DIODE FAST GPP 2A 800V DO-15 |
| EGP30C | DIODE FAST GPP 3A 150V DO-201AD |
| EGP30GHE3/54 | DIODE 3A 400V 50NS GP20 AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EGF1D/1- | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1D/17 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
| EGF1D/17- | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1D/17A | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGF1D/19- | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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