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参数资料
| 型号： | EGP20G |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 265K |
| 描述： | DIODE FAST GPP 2A 400V DO-15 |
| 产品变化通告： | Material Composition Change 23/Mar/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 400V |
| 电容@ Vr, F： | 45pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AC，DO-15，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-15 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | EGP20GCT |
EGP20A - EGP20K — 2.
0 A Glass-Passivated Hi
gh-Efficiency Rectifiers
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
EGP20A - EGP20K Rev. 1.1.0 1
June 2013
EGP20A - EGP20K
2.0 A Glass-Passivated High-Efficiency Rectifiers
Features
? Glass-Passivated Cavity-Free Junction
? High Surge Current Capability
? Low Leakage Current
? Super-Fast Recovery Time for High Efficiency
? Low Forward Voltage, High Current Capability
Absolute Maximum Ratings(1)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
IF(AV)
Average Rectified Current
.375 inch lead length at TA
= 55
°C
2.0 A
IFSM
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half-sine-wave
Superimposed on rated load (JEDEC method)
75 A
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature Range -65 to 150
°C
PD
Total Device Dissipation
3.13
W
Derate above 25°C
25
mW°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 40
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead 15
°C/W
DO-15 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3252W-1-502 | TRIMMER 5K OHM 0.75W TH |
| KB25CKW01-6B-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| ABM3B-12.800MHZ-10-1-U-T | CRYSTAL 12.8000MHZ 10PF SMD |
| YB15SKG01-2CF02-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| 3252W-1-202 | TRIMMER 2K OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EGP20G/1 | 功能描述:整流器 2.0 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGP20G/4 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-15 T/R |
| EGP20G_Q | 功能描述:整流器 2.0a Rectifier UF Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGP20G-E3/1 | 功能描述:整流器 400 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| EGP20G-E3/23 | 功能描述:整流器 400 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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