参数资料
型号: EGP30BHE3/73
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 70K
描述: DIODE 3A 100V 50NS GP20 AXIAL
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 100V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: GP20
包装: 带盒(TB)
‘lllvVISHAYQV
instantaneous Reverse Leakage
Current (UA) instantaneous FonNard Current (A)
0.01-‘-nj - - - - EGPSUF and EGP3DG0.2 0.4 0.6 0.5 1.0 1.2 1.4 1.6
am
Too
G
01
EGP3oA trim EGPJDD
u.-
instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
ion
in
.0
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. A - Typical Reverse Leakage Characteristics
210
EGP30A, EGP30B, EGP30c, EGP30D, EGP30F, EGP3oG
wwwymhayeom
Vishay General Semiconductor
Tao
T50
T20
90
60
Junction Capacitance (pF)
so
GP3uA tnru EGPSDD
T00
Transient Thermal impedance (“C/W)
a
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
GP20
ozms 3)a ‘soil; 8)DlA
0.042 (1 07)0.037 (0 94)DIA
Revision: 15?Aug-13
For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com3Document N umber: 88584
—>‘
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
t- Pulse Duration (s)
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PDF描述
EEM12DRTI-S13 CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND
EEM12DRKI-S13 CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND
LM4040D20ILPRE3 IC VREF SHUNT PREC 2.048V TO92-3
RCM06DSES CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET
RBM02DSAN CONN EDGECARD 4POS R/A .156 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
EGP30B-TP 功能描述:DIODE GPP 3A 100V HI EFF DO201AE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
EGP30BZ 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
EGP30C 功能描述:整流器 3.0a Rectifier UF Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
EGP30C/1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode Switching 150V 3A 2-Pin Case GP-20 Bulk
EGP30C_Q 功能描述:整流器 3.0a Rectifier UF Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel