参数资料
型号: EL2126CSZ
厂商: Intersil
文件页数: 5/19页
文件大小: 0K
描述: IC AMP WIDEBAND LN LP 8-SOIC
标准包装: 97
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
转换速率: 150 V/µs
-3db带宽: 135MHz
电流 - 输入偏压: 7µA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 5mA
电流 - 输出 / 通道: 220mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1233 (CN2011-ZH PDF)
13
FN7046.4
May 2, 2007
FIGURE 47. NEGATIVE LOADED OUTPUT SWING vs TEMPERATURE
FIGURE 48. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 49. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
-9.4
-9.8
-10.2
-10.6
-50
0
100
150
50
Die Temperature (°C)
VS=±15V
V
OU
TL2
(V
)
-9.6
-10
-10.4
1.2
0.6
0
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
AMBIENT Temperature (°C)
P
O
W
E
R
DISS
IP
A
T
ION
(
W
)
25
125
150
75
1
0.4
0.8
0.2
100
50
85
488mW
781mW
θ
JA =
+16
0°C
/W
SO
8
θ
JA = +2
56°C
/W
SOT
23-5
1.8
0.8
0
1.6
0.4
1.2
0.2
0.6
1.4
1
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
W
E
R
DISS
IP
A
T
ION
(
W
)
25
125
150
75
100
50
85
543mW
θ
JA =
+11
0°C
/W
SO
8
1.136W
θ
JA = +230
°C/W
SOT23
-5
EL2126
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PDF描述
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77313-102-24LF CONN HEADER .100 DUAL STR 24POS
170M3508 FUSE 40A 690V 1GN/50
TMM-134-01-S-D CONN HEADER 68POS DUAL 2MM T/H
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参数描述
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