参数资料
| 型号： | EL2126CWZ-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 19/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP WIDEBAND LN LP SOT23-5 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 150 V/µs |
| -3db带宽： | 135MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 7µA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 220mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
9
FN7046.4
May 2, 2007
FIGURE 23. 1MHz HARMONIC DISTORTION vs OUTPUT
SWING
FIGURE 24. 1MHz HARMONIC DISTORTION vs OUTPUT
SWING
FIGURE 25. TOTAL HARMONIC DISTORTION vs FREQUENCY
FIGURE 26. NOISE vs FREQUENCY
FIGURE 27. SETTLING TIME vs ACCURACY
FIGURE 28. GROUP DELAY vs FREQUENCY
Typical Performance Curves (Continued)
-40
-50
-60
-80
-90
-100
012345
78
VOUT (VP-P)
H
ARUMONIC
DIS
T
ORTIO
N
(d
Bc)
6
-70
2nd HD
VS = ±5V
VO = 2VP-P
RF = 180Ω
AV = 10
RL = 500Ω
3rd HD
-30
-40
-60
-80
-90
-100
0
5
10
15
20
25
VOUT (VP-P)
H
ARMONIC
DIST
O
R
TIO
N
(d
Bc)
-70
-50
3rd HD
2nd HD
VS = ±5V
VO = 2VP-P
RF = 180Ω
AV = 10
RL = 500Ω
-20
-50
-80
-90
1k
10k
100M
FREQUENCY (Hz)
TH
D
(dBc
)
VS = ±5V
VO = 2VP-P
100k
1M
10M
-30
-40
-70
-60
10
1
10
100
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
I N
(p
A/
√Hz
),
V
N
(nV
/√
Hz
)
1k
IN, VS = ±5V
VN, VS = ±15V
IN, VS = ±15V
VN, VS = ±5V
70
40
20
0
0.1
1.0
10.0
ACCURACY (%)
SE
T
TLI
N
G
TIME
(ns)
30
50
V
S
= ±5V
, V
O
= 5V
P-P
V
S
= ±15
V, V
O
= 5V
P-P
V
S
= ±15V
, V
O
= 2V
P-P
V
S
= ±5
V, V
O
= 2V
P-P
60
10
16
8
0
-4
1M
10M
100M
400M
FREQUENCY (Hz)
GROUP
DELA
Y
(
n
s)
4
12
VS = ±5V
RL = 500Ω
AV = 10
AV = -10
EL2126
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| EL213 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL213(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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