参数资料
型号: EL2228CSZ-T7
厂商: Intersil
文件页数: 11/12页
文件大小: 0K
描述: IC AMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
标准包装: 1,000
放大器类型: 电压反馈
电路数: 2
转换速率: 65 V/µs
增益带宽积: 40MHz
-3db带宽: 80MHz
电流 - 输入偏压: 4.5µA
电压 - 输入偏移: 200µV
电流 - 电源: 5mA
电流 - 输出 / 通道: 180mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 24 V,±2.5 V ~ 12 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
Package Power Dissipation vs Ambient Temperature
JEDEC JESD51-3 Low Effective Thermal Conductivity
Test Board
0.7
0.6
0.4
0.2
0.1
Ambient Temperature (°C)
Powe
rDis
sipa
ti
o
n
(W
)
150
25
50
75
125
0
0.5
0.3
100
85
625mW
486mW
MSOP8
206°C/W
SO8
160°C/W
Input Bias Current vs Temperature
-2
-4
-6
-8
Junction Temperature (°C)
Input
Bias
Current
(A)
150
050
100
-50
Input Offset Voltage vs Temperature
2
-2
Junction Temperature (°C)
Inp
u
tOf
fs
et
V
o
lt
ag
e(mV
)
150
50
-50
1
0
-1
100
0
Slew Rate vs Temperature
76
74
70
66
64
Temperature (°C)
Sl
ew
R
ate
(V/s
)
150
050
100
-50
62
72
68
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
255075
100
125
150
Package Power Dissipation vs Ambient Temperature
JEDEC JESD51-7 High Effective Thermal Conductivity
Test Board
870mW
909mW
MSOP8
115°C/W
SO8
110°C/W
Ambient Temperature (°C)
Powe
rDis
sipa
ti
on
(W
)
8
FN7008.2
May 3, 2007
Typical Performance Curves (Continued)
EL2228
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参数描述
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