参数资料
| 型号： | EL2250CS |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP VIDEO 125MHZ LP 8-SOIC |
| 标准包装： | 97 |
| 应用： | 电压反馈 |
| 电路数： | 2 |
| -3db带宽： | 125MHz |
| 转换速率： | 275 V/µs |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 12 V，±1.35 V ~ 6 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
9
FN7061.3
May 19, 2006
Typical Performance Curves (Continued)
Supply Current vs Supply Voltage
(per amplifier)
Supply Current vs Die
Temperature (per amplifier)
Input Resistance vs Die
Temperature
Offset Voltage vs Die Temperature
(4 Samples)
Input Bias Current vs Input
Voltage
Input Offset Current and Input Bias
Current vs Die Temperature
Positive Output Voltage Swing vs
Die Temperature, RL = 150Ω to
GND
Negative Output Voltage Swing vs
Die Temperature, RL = 150Ω to
GND
Channel to Channel Isolation vs
Frequency
Package Power Dissipation vs Ambient Temp.
SEMI G42-88 Single Layer Test Board
Ambient Temperature (°C)
Powe
rDis
sipa
ti
o
n
(W
)
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
025
50
75
100
125
150
85
1.54W
1.25W
PD
IP1
4
θ
JA =8
1°C
/W
PDIP
8
θ
JA =1
00°C
/W
Package Power Dissipation vs Ambient Temp.
JEDEC JESD51-3 Low Effective Thermal Conductivity
Test Board
Ambient Temperature (°C)
Powe
rDis
sipa
ti
o
n
(W
)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
85
1.042W
781W
SO
14
θ
JA =1
20°
C/W
SO8
θ
JA=16
0°C
/W
EL2250, EL2450
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| EL2250CSZ | 功能描述:高速运算放大器 EL2250CSZ 100 MHZ DL OP AMP SNGL SUPY RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL2250CSZ-T13 | 功能描述:高速运算放大器 EL2250CSZ 100 MHZ DL OP AMP SNGL SUPY RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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