参数资料
型号: EL357NA-VG
厂商: Everlight Electronics Co Ltd
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: PHOTOCOUPLER TRANS DC INPUT 4SOP
标准包装: 100
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比(最小值): 80% @ 5mA
电流传输比(最大): 160% @ 5mA
输出电压: 80V
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 200mV
输出类型: 晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-SMD,鸥翼型
包装: 管件
DATASHEET
4 PIN SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
EL357N-G series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25 ℃ unless specified otherwise)
Input
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Input capacitance
Symbol
V F
I R
C in
Min.
-
-
-
Typ.
1.2
-
30
Max.
1.4
10
250
Unit
V
μA
pF
Condition
I F = 20mA
V R = 4V
V = 0, f = 1kHz
Output
Parameter
Collector-Emitter dark
current
Collector-Emitter
breakdown voltage
Emitter-Collector
breakdown voltage
Symbol
I CEO
BV CEO
BV ECO
Min
-
80
7
Typ.
-
-
-
Max.
100
-
-
Unit
nA
V
V
Condition
V CE = 20V, I F = 0mA
I C = 0.1mA
I E = 0.01mA
Transfer Characteristics (T a =25°C unless specified otherwise)
Parameter
Symbol
Min
Typ.
Max.
Unit
Condition
EL357N
EL357NA
50
80
-
-
600
160
Current
EL357NB
130
-
260
Transfer
ratio
EL357NC
EL357ND
CTR
200
300
-
-
400
600
%
I F = 5mA ,V CE = 5V
EL357NE
EL357NF
100
150
-
-
200
300
5×10
Collector-Emitter
saturation voltage
Isolation resistance
Floating capacitance
Rise time
Fall time
V CE(sat)
R IO
C IO
t r
t f
-
-
-
-
10
0.1
-
0.6
3
4
0.2
-
1.0
18
18
V
?
pF
μs
I F = 20mA ,I C = 1mA
V IO = 500Vdc,
40~60% R.H.
V IO = 0, f = 1MHz
V CE = 2V, I C = 2mA,
R L = 100 ?
* Typical values at T a = 25°C
3
Copyright ? 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue No:DPC-0000014 Rev.5
www.everlight.com
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PDF描述
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参数描述
EL357NB 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:4 PIN ULTRA SMALL SOP
EL357NB(TA)-G 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL357NB(TA)-VG 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL357NB(TB)-G 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL357NB(TB)-VG 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk