参数资料
| 型号： | EL5123CY |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER QUAD R-R 12MHZ 10-MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 缓冲器 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 18 V/µs |
| -3db带宽： | 12MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2nA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 2.4mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 管件 |
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FN7176.3
August 31, 2010
FIGURE 19. LARGE SIGNAL TRANSIENT RESPONSE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 23. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1s/DIV
1V/DIV
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD, QFN EXPOSED
DIEPAD SOLDERED TO PCB PER JESD51-5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
ATION
(W)
2.857W
2.703W
θJA = +37°C/W
QFN24
θJA = +35°C/W
QFN32
JEDEC JESD51-3 AND SEMI G42-88
(SINGLE LAYER) TEST BOARD
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
714mW
θJA = +140°C/W
QFN24
θJA = +132°C/W
QFN32
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
758mW
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
POWER
DISS
IPATION
(W)
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
1.111W
1.333W
870mW
θJA = +95°C/W
TSSOP20
θJA = +115°C/W
MSOP10
θJA = +85°C/W
TSSOP24
θJA = +75°C/W
TSSOP28
1.176W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
486mW
θJA = +206°C/W
MSOP10
714mW
θJA = +140°C/W
TSSOP20
θJA = +120°C/W
TSSOP28
θJA = +128°C/W
TSSOP24
833mW
781mW
EL5123, EL5223, EL5323, EL5423
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NPPN071FGGN-RC | CONN RECEPT 2MM SINGLE R/A 7POS |
| 0034.3415 | FUSE 630MA 250VAC 6X32 SLOW |
| EL5120IYE-T7 | IC OPAMP SGL R-R 12MHZ 8-HMSOP |
| LPPB071NFSC-RC | CONN HEADER .050" 7POS SMD GOLD |
| TA35-CKDBH040C0 | CIRCUIT BRKR THERMAL 4A 3POLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL5123CY-T13 | 功能描述:IC BUFFER QUAD R-R 12MHZ 10-MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源，单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V，±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件 |
| EL5123CY-T7 | 功能描述:IC BUFFER QUAD R-R 12MHZ 10-MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1.8 V/µs 增益带宽积:6.5MHz -3db带宽:4.5MHz 电流 - 输入偏压:5nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:65µA 电流 - 输出 / 通道:35mA 电压 - 电源，单路/双路(±):1.8 V ~ 5.25 V，±0.9 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:10-MSOP 包装:管件 |
| EL5123CYZ | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5123CYZ 4 CH RAIL TO RAIL I/O BUFR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5123CYZ-T13 | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5123CYZ 4 CH RAIL TO RAIL I/O BUFR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5123CYZ-T7 | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5123CYZ 4 CH RAIL TO RAIL I/O BUFR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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