参数资料
型号: EL5132ISZ-T7
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC VFA 670MHZ ULT LO VOLT 8SOIC
标准包装: 1
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
转换速率: 1000 V/µs
增益带宽积: 3GHz
-3db带宽: 670MHz
电流 - 输入偏压: 12µA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 11mA
电流 - 输出 / 通道: 140mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 标准包装
其它名称: EL5132ISZ-T7DKR
9
FN7382.8
May 4, 2007
FIGURE 31. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 32. SLEW RATE vs SUPPLY VOLTAGES
FIGURE 33. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 34. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
10.2
10.4
10.6
10.8
11.0
11.2
11.4
11.6
11.8
12.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUP
P
L
Y
CURRENT
(m
A)
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
10.0
Please note that the curve showed
positive current. The negative
current was almost the same.
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
SUPPLY VOLTAGES (±V)
SLE
W
R
A
TE
(
V
/s
)
NEGATIVE SLEW RATE
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
VOUT = 4VP-P
POSITIVE SLEW RATE
909mW
θ
JA = +110°C/W
SO8
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5
625mW
SO8
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
391mW
θJA = +160°C/W
θJA = +256°C/W
SOT23-5
EL5132, EL5133
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PDF描述
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