参数资料
型号: EL5132ISZ
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC
标准包装: 97
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
转换速率: 1000 V/µs
增益带宽积: 3GHz
-3db带宽: 670MHz
电流 - 输入偏压: 12µA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 11mA
电流 - 输出 / 通道: 140mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
9
FN7382.8
May 4, 2007
FIGURE 31. SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 32. SLEW RATE vs SUPPLY VOLTAGES
FIGURE 33. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 34. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
10.2
10.4
10.6
10.8
11.0
11.2
11.4
11.6
11.8
12.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUP
P
L
Y
CURRENT
(m
A)
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
10.0
Please note that the curve showed
positive current. The negative
current was almost the same.
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
SUPPLY VOLTAGES (±V)
SLE
W
R
A
TE
(
V
/s
)
NEGATIVE SLEW RATE
AV = +10
RG = 25Ω
RL = 500Ω
CL = +1pF
VOUT = 4VP-P
POSITIVE SLEW RATE
909mW
θ
JA = +110°C/W
SO8
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5
625mW
SO8
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
391mW
θJA = +160°C/W
θJA = +256°C/W
SOT23-5
EL5132, EL5133
相关PDF资料
PDF描述
EL5132IS-T13 IC AMP VFA 670MHZ LO NOISE 8SOIC
CU3225K300G2 VARISTOR 300V RMS 3225 SMD
RT0603DRD0782KL RES 82K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
CU4032K275G2 VARISTOR 275V RMS 4032 SMD
LPPB081NGCN-RC CONN HEADER .050" 8POS R/A PCB
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参数描述
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EL5133 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:670MHz Low Noise Amplifiers
EL513-3 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic IC
EL513-30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic IC