参数资料
型号: EL5157IWZ-T7
厂商: Intersil
文件页数: 17/17页
文件大小: 0K
描述: IC AMP VFA 600MHZ SGL SOT23-5
标准包装: 1
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
转换速率: 700 V/µs
增益带宽积: 210MHz
-3db带宽: 600MHz
电流 - 输入偏压: 400nA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 140mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.5 V ~ 12 V,±2.25 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商设备封装: SOT-23-5
包装: 标准包装
其它名称: EL5157IWZ-T7DKR
9
FN7386.6
July 7, 2009
FIGURE 29. SMALL SIGNAL RISE TIME
FIGURE 30. SMALL SIGNAL FALL TIME
FIGURE 31. LARGE SIGNAL RISE TIME
FIGURE 32. LARGE SIGNAL FALL TIME
FIGURE 33. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 34. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
V
OU
T
(4
0m
V/
D
IV)
TIME (4ns/DIV)
RISE
20% TO 80%
Δt = 2.025ns
AV = +2
RL = 500Ω
SUPPLY = ±5V ±12.3mA
OUTPUT = 200mVP-P
0
AV = +2
RL = 500Ω
SUPPLY = ±5V ±12.3mA
OUTPUT = 200mVP-P
FALL
80% TO 20%
Δt = 1.7ns
V
OU
T
(4
0m
V/
D
IV)
TIME (4ns/DIV)
0
RISE
20% TO 80%
Δt = 1.657ns
AV = +2
RL = 500Ω
SUPPLY = ±5V ±12.3mA
OUTPUT = 2.0VP-P
V
OU
T
(4
00m
V/DI
V)
TIME (2ns/DIV)
0
AV = +2
RL = 500Ω
SUPPLY = ±5V ±12.3mA
OUTPUT = 2.0VP-P
FALL
80% TO 20%
Δt = 1.7ns
V
OU
T
(4
00m
V/DI
V)
TIME (2ns/DIV)
0
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
SO8
θJA = +110°C/W
1.136W
543mW
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
P
O
W
E
R
DISS
IP
A
T
IO
N
(W
)
0.2
0
0.6
0.4
1.0
0.8
1.4
1.2
1.8
1.6
25
75 85 100
125
150
50
870mW
SOT23-5
θJA = +230°C/W
MSOP10
θJA = +115°C/W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
P
O
W
E
R
DISS
IP
A
T
IO
N
(W
)
0
0.6
0.2
0.8
0.4
1.2
1.0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
25
75 85 100
125
150
50
SO8
θJA = +160°C/W
MSOP10
θJA = +115°C/W
781mW
488mW
486mW
SOT23-5
θJA = +256°C/W
EL5156, EL5157, EL5256, EL5257
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