参数资料
| 型号： | EL5160IS-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP LP 200MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 电流反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 1700 V/µs |
| -3db带宽： | 200MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 5µA |
| 电压 - 输入偏移： | 1600µV |
| 电流 - 电源： | 750µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 140mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 10 V，±2.5 V ~ 5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EL5160, EL5161, EL5260, EL5261, EL5360
7
FN7387.10
January 30, 2014
FIGURE 15. FREQUENCY RESPONSE FOR VARIOUS GAIN
SETTINGS
FIGURE 16. FREQUENCY RESPONSE FOR VARIOUS FEEDBACK
RESISTORS, AV = +1
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
VS = ±5V
RF = 768
RL = 500
AV = -1
100k
1M
1G
4
2
0
-2
-4
-6
NOR
M
ALIZED
GAIN
(dB)
FREQUENCY (Hz)
100M
10M
AV = +10
AV = -5
AV = +5
VS = ±5V
AV = +1
RL = 150
100k
1M
1G
5
3
1
-1
-3
-5
NOR
M
ALIZED
GAIN
(dB)
FREQUENCY (Hz)
100M
10M
RF = 2.8k
RF = 1k
RF = 750
1.250W
909mW
SO16 (0.150”)
θJA = 80°C/W
0
25
150
1.4
1.2
0.8
0.4
0.2
0
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
FREQUENCY (Hz)
100
50
125
75
1
0.6
85
SO8
θJA = 110°C/W
435mW
SOT23-5/6
θJA = 110°C/W
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
25
150
1.4
1.2
0.8
0.4
0.2
0
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
FREQUENCY (Hz)
100
50
125
75
1
0.6
85
893mW
QSOP16
θJA=112°C/W
870mW
MSOP10
θJA=115°C/W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
25
150
1
0.8
0.4
0.2
0.1
0
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
FREQUENCY (Hz)
100
50
125
75
0.6
0.3
85
0.9
0.7
0.5
909mW
SO16 (0.150”)
θJA = 110°C/W
625mW
391mW
SOT23-5/6
θJA = 256°C/W
SO8
θJA = 160°C/W
0
25
150
1.2
0.8
0.4
0.2
0
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
FREQUENCY (Hz)
100
50
125
75
0.6
85
1
633mW
QSOP16
θJA = 158°C/W
486mW
MSOP10
θJA = 206°C/W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL5157IW-T7A | IC OP AMP LO OFF 600MHZ SOT-23-5 |
| T11-211-15 | CIRCUIT BRKR SP RESET 15A SCREW |
| B1101UCLRP | BATTRAX SLIC DUAL 500A MS-013 |
| T11-814-1 | CIRCUIT BRKR SP RESET 1A SLD |
| 3404.0014.11 | FUSE OMF 125V 3A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL5160ISZ | 功能描述:高速运算放大器 EL5160ISZ SINGLE MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5160ISZ-T13 | 功能描述:高速运算放大器 EL5160ISZ SINGLE 180MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5160ISZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL5160ISZ SINGLE 180MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5160ISZ-T7A | 功能描述:高速运算放大器 EL5160ISZ SINGLE MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5160IW-T7 | 功能描述:运算放大器 - 运放 LOW PWR 200MHZ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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