参数资料
| 型号： | EL5164ISZ-T13 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP CFA SGL 600MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 电流反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 4700 V/µs |
| -3db带宽： | 600MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2µA |
| 电压 - 输入偏移： | 1500µV |
| 电流 - 电源： | 3.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 190mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EL5164, EL5165, EL5364
8
FN7389.9
January 30, 2014
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
909mW
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
1.250W
θJA = +80°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +110°C/W
SO8
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
625mW
θJA = +160°C/W
SO8
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
391mW
θJA = +256°C/W
SOT23-5/6
633mW
θ
JA =
+15
8°C
/W
QS
OP
16
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
θ
JA
=
+1
10
°C
/W
SO
16
(0
.15
0”
)
909mW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL5173IYZ-T7 | IC DRVR TWISTED 450MHZ SGL 8MSOP |
| 961248-6700-AR-PR | CONN HEADER STR DL 48PS GOLD SMD |
| 81020-600303 | CONN HEADER 20POS STR THRU HOLE |
| 81020-600203 | CONN HEADER 20POS STR THRU HOLE |
| 81020-600201 | CONN HEADER 20POS STR THRU HOLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL5164ISZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL5164ISZ SINGLE 850 850MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5164IW-T7 | 功能描述:运算放大器 - 运放 600MHZ CURR FB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5164IW-T7A | 功能描述:运算放大器 - 运放 850 MHz CFA w Enable RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5164IWZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL5164IWZ SINGLE 850 850MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5164IWZ-T7A | 功能描述:高速运算放大器 EL5164IWZ SINGLE 850 850MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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