参数资料
型号: EL5173IS-T13
厂商: Intersil
文件页数: 14/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER SGL 450MHZ DIFF 8-SOIC
标准包装: 2,500
放大器类型: 差分
电路数: 1
输出类型: 差分
转换速率: 900 V/µs
-3db带宽: 450MHz
电流 - 输入偏压: 11µA
电压 - 输入偏移: 3000µV
电流 - 电源: 12mA
电流 - 输出 / 通道: 55mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.75 V ~ 11 V,±2.38 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
EL5173, EL5373
9
FN7312.9
August 28, 2012
Simplified Schematic
FIGURE 21. DISABLED RESPONSE
FIGURE 22. ENABLED RESPONSE
FIGURE 23. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 24. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1.136W
θJA = +88°C/W
QSOP24
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
909mW
θJA = +110°C/W
SO8
870mW
θJA = +115°C/W
MSOP8/10
486mW
θJA = +206°C/W
MSOP8
870mW
θ
JA = +115°C/W
QSOP24
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
ATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
625mW
θJA = +160°C/W
SO8
REF
R10
R9
RCD
OUT+
OUT-
CC
R6
R5
CC
R4
R3
R7
R8
R2
R1
VB1
FBN
FBP
IN-
IN+
VB2
VS+
VS-
200
Ω
200
Ω
400
Ω
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PDF描述
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参数描述
EL5173IS-T7 功能描述:IC DRIVER DIFF 450MHZ TP 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 放大器类型:电压反馈 电路数:4 输出类型:满摆幅 转换速率:33 V/µs 增益带宽积:20MHz -3db带宽:30MHz 电流 - 输入偏压:2nA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:2.5mA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源,单路/双路(±):4.5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:14-SOIC 包装:带卷 (TR)
EL5173ISZ 功能描述:差分放大器 EL5173ISZ 500MHZ DIFF DRVR GAIN=2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 Channel 带宽:2.4 GHz 可用增益调整:6 dB to 26 dB 输入补偿电压: 共模抑制比(最小值):- 40 dB 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V 电源电流:100 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WQFN-24 封装:Reel
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