参数资料
| 型号： | EL5175ISZ-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LINE RCVR SGL 550MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 差分 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 900 V/µs |
| 增益带宽积： | 200MHz |
| -3db带宽： | 550MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 12.5µA |
| 电压 - 输入偏移： | 3000µV |
| 电流 - 电源： | 9.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 67mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.75 V ~ 11 V，±2.38 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
9
FN7306.7
August 25, 2010
Simplified Schematic
FIGURE 21. ENABLED RESPONSE
FIGURE 22. DISABLED RESPONSE
FIGURE 23. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 24. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
100ns/DIV
CH1
CH2
M = 100ns
CH1 = 200mV/DIV
CH2 = 5V/DIV
400ns/DIV
CH1
CH2
M = 400ns
CH1 = 200mV/DIV
CH2 = 5V/DIV
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
870mW
625mW
486mW
QSOP24
θJA = +115°C/W
MSOP8
θJA = +206°C/W
0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
25
125
150
85 100
50
75
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
1.2
1.0
0.2
0
0.6
0.4
0.8
SO8
θJA = +160°C/W
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
1.4
25
125
150
85 100
50
75
1.2
0.2
0
0.6
0.4
1.0
0.8
1.136W
909mW
870mW
MSOP8
θJA = +115°C/W
QSOP24
θJA = +88°C/W
SO8
θJA = +110°C/W
R2
R1
R4
R3
RD2
RD1
Q8
FB
Q4
VREF
Q3
VIN-
Q2
VIN+
Q1
Q6
VS+
I4
I3
I2
I1
Q7
VB1
VS-
25
Q9
VB2
x1
VOUT
CC
EL5175, EL5375
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PDF描述 |
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| EL5175IYZ-T13 | 功能描述:差分放大器 EL5175IYZ 500MHZCVR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 Channel 带宽:2.4 GHz 可用增益调整:6 dB to 26 dB 输入补偿电压: 共模抑制比（最小值）:- 40 dB 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V 电源电流:100 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WQFN-24 封装:Reel |
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