参数资料
| 型号： | EL5324IRE |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER LP 10CHAN 12MHZ 28HSSO |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 缓冲器 |
| 电路数： | 10 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 15 V/µs |
| 增益带宽积： | 8MHz |
| -3db带宽： | 12MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2nA |
| 电压 - 输入偏移： | 2000µV |
| 电流 - 电源： | 7.8mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 140mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 28-HTSSOP |
| 包装： | 管件 |
7
FIGURE 13. TRANSIENT LOAD REGULATION - SOURCING
(VCOM)
FIGURE 14. TRANSIENT LOAD REGULATION - SINKING
(VCOM)
FIGURE 15. SMALL SIGNAL TRANSIENT RESPONSE
(BUFFER)
FIGURE 16. LARGE SIGNAL TRANSIENT RESPONSE
(BUFFER)
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
-100mA
0V
100mA/DIV
20mV/DIV
0mA
CL=1F
M=4s/DIV, VS=±7.5V, VIN=0V
100mA
0V
100mA/DIV
20mV/DIV
0mA
M=4s/DIV, VS=±7.5V, VIN=0V
CL=1F
200ns/DIV
50mV/DIV
VS=±7.5V, RL=10kΩ, CL=12pF
1s/DIV
1V/DIV
VS=±7.5V
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY (4-LAYER) TEST BOARD, QFN EXPOSED
DIEPAD SOLDERED TO PCB PER JESD51-5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
255075
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
A
T
ION
(W)
2.703W
2.857W
QFN32
θ
JA=35°C/W
QFN24
θJA=37°C/W
JEDEC JESD51-3 AND SEMI G42-88 (SINGLE
LAYER) TEST BOARD
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
125
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
A
T
ION
(W)
100
85
714mW
758mW
QFN32
θJA=132°C/W
QFN24
θJA=140°C/W
EL5224, EL5324, EL5424
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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