参数资料
型号: EL5362IUZ
厂商: Intersil
文件页数: 15/15页
文件大小: 0K
描述: IC AMP CFA TRIPLE 500MHZ 16-QSOP
标准包装: 97
放大器类型: 电流反馈
电路数: 3
转换速率: 2500 V/µs
-3db带宽: 500MHz
电流 - 输入偏压: 2µA
电压 - 输入偏移: 1500µV
电流 - 电源: 1.5mA
电流 - 输出 / 通道: 100mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-QSOP
包装: 管件
9
FN7388.10
January 4, 2008
FIGURE 13. PSRR (VEE)
FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 15. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 16. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1001k10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
10M
100M
-30
-20
P
S
RR
(
d
B)
-50
-60
-70
-80
-40
-10
-90
0
VCC = +5V
VEE = -5V
AV = +2
RL = 150Ω
-100
1.250W
909mW
SO8
θJA = +110°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +80°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.50
0.45
0.30
0.20
0.15
0.10
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
0.40
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.0
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
85
870mW
θJA = +115°C/W
MSOP8/10
0.8
0.5
0.7
625mW
SO8
θJA = +160°C/W
SO16 (0.15 0”)
θJA = +110°C/W
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
909mW
EL5162, EL5163, EL5262, EL5263, EL5362
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