参数资料
| 型号： | EL5364IU |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP 600MHZ CURR FB 16-QSOP |
| 标准包装： | 97 |
| 放大器类型： | 电流反馈 |
| 电路数： | 3 |
| 转换速率： | 4200 V/µs |
| -3db带宽： | 600MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2µA |
| 电压 - 输入偏移： | 1500µV |
| 电流 - 电源： | 3.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 140mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-QSOP |
| 包装： | 管件 |
EL5164, EL5165, EL5364
8
FN7389.9
January 30, 2014
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
909mW
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
1.250W
θJA = +80°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +110°C/W
SO8
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
625mW
θJA = +160°C/W
SO8
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
391mW
θJA = +256°C/W
SOT23-5/6
633mW
θ
JA =
+15
8°C
/W
QS
OP
16
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
θ
JA
=
+1
10
°C
/W
SO
16
(0
.15
0”
)
909mW
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PDF描述 |
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参数描述 |
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