参数资料
| 型号： | EL5420TILZ-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP RR 12MHZ QD 16QFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 12 V/µs |
| 增益带宽积： | 8MHz |
| -3db带宽： | 12MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2nA |
| 电压 - 输入偏移： | 4000µV |
| 电流 - 电源： | 500µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 19 V，±2.25 V ~ 9.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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FN6838.0
September 25, 2009
Power Supply Bypassing and Printed Circuit
Board Layout
The EL5420T can provide gain at high frequency, so good
printed circuit board layout is necessary for optimum
performance. Ground plane construction is highly
recommended, trace lengths should be as short as possible
and the power supply pins must be well bypassed to reduce
any risk of oscillation.
For normal single supply operation (the VS- pin is connected
to ground) a 4.7F capacitor should be placed from VS+ to
ground, then a parallel 0.1F capacitor should be connected
as close to the amplifier as possible. One 4.7F capacitor
may be used for multiple devices. For dual supply operation
the same capacitor combination should be placed at each
supply pin to ground.
For the QFN package, with exposed thermal pad, the pad
should be connected to the lowest potential, VS-, to optimize
thermal and operating performance. PCB vias should be
placed below the device’s exposed thermal pad to transfer
heat to the VS- plane and away from the device.
Revision History
DATE
REVISION
CHANGE
9/25/09
FN6838.0
Initial Release
EL5420T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL28108FRTZ-T13 | IC OPAMP GP RR 1.2MHZ 8TDFN |
| TSM-113-01-L-DV-A-P | CONN HEADER 26POS .100" DBL SMD |
| ISL28108FBZ-T7 | IC OPAMP GP RR 1.2MHZ 8SOIC |
| TLC2272CPSG4 | IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8SOIC |
| 961238-6700-AR-PT | CONN HEADER STR DL 38PS GOLD SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL5420TIRZ | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5420TIRZ 12 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5420TIRZ-T13 | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5420TIRZ 12 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5420TIRZ-T7 | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5420TIRZ 12 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5420TISZ | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5420TISZ 12 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| EL5420TISZ-T13 | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5420TISZ 12 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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