参数资料
型号: EL5451IS
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC AMP 200MHZ V-FB 14-SOIC
标准包装: 55
放大器类型: 电压反馈
电路数: 4
转换速率: 100 V/µs
增益带宽积: 40MHz
-3db带宽: 200MHz
电流 - 输入偏压: 20nA
电压 - 输入偏移: 500µV
电流 - 电源: 1.35mA
电流 - 输出 / 通道: 70mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1233 (CN2011-ZH PDF)
3
FN7384.7
January 16, 2008
Absolute Maximum Ratings (TA = +25°C)
Thermal Information
Supply Voltage between VS and VS- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.2V
Slewrate of Voltage between VS and VS- . . . . . . . . . . . . . . . . 1V/s
Maximum Continuous Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
Pin Voltages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.5V to VS + 0.5V
Current into IN+, IN-, CE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to +125°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
Ambient Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to +85°C
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Curves
Pb-Free Reflow Profile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests
are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: TJ = TC = TA
Electrical Specifications
VS+ = +5V, VS- = -5V, RL = 150Ω, TA = +25°C, unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
AC PERFORMANCE
BW
-3dB Bandwidth
AV = +1, RL = 500Ω
200
MHz
AV = +2, RL = 150Ω
40
MHz
GBWP
Gain Bandwidth Product
AV = 500
40
MHz
BW1
0.1dB Bandwidth
AV = +1, RL = 500Ω
10
MHz
SR
Slew Rate
VO = ±2.5V, AV = +2
50
67
V/s
VO = ±3.0V, AV = 1, RL = 500Ω
100
V/s
tS
0.1% Settling Time
VOUT = -1V to +1V, AV = -2
80
ns
dG
Differential Gain Error (Note 1)
AV = +2, RL = 150Ω
0.04
%
dP
Differential Phase Error (Note 1)
AV = +2, RL = 150Ω
0.9
°
VN
Input Referred Voltage Noise
12
nV/
√Hz
IN
Input Referred Current Noise
1.0
pA/
√Hz
DC PERFORMANCE
VOS
Offset Voltage
-1
0.5
1
mV
TCVOS
Input Offset Voltage Temperature
Coefficient
Measured from TMIN to TMAX
-2
V/°C
AVOL
Open Loop Gain
15
56
kV/V
INPUT CHARACTERISTICS
CMIR
Common Mode Input Range
Guaranteed by CMRR test
-3.5
+3.5
V
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
85
100
dB
IB
Input Bias Current
-100
20
+100
nA
IOS
Input Offset Current
-30
6
30
nA
RIN
Input Resistance
80
170
M
Ω
CIN
Input Capacitance
1pF
OUTPUT CHARACTERISTICS
VOUT
Output Voltage Swing Low
RL = 150Ω to GND
±2.5
±2.8
V
RL = 500Ω to GND
±3.1
±3.4
V
IOUT
Output Current
RL = 10Ω to GND
±40
±70
mA
EL5150, EL5151, EL5250, EL5251, EL5451
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